主要规格及技术指标 |
1离子源:氩气 2 离子枪数:1个 3 加速电压:0-6Kv 4 截面研磨系统: 4.1加工速度:截面加工500μm/h,6Kv的条件下,Si片, 4.2样品加工位置精确调整:样品托千分尺调整,精度10μm 4.3最大样品尺寸:≤20(W)×12(D)×7(H)mm 4.4样品可移动范围:截面X:±7mm, Y:0~3mm, 4.5挡板可移动范围:X:±8mm,Y:-3~0mm 4.6样品摆动角度:截面研磨±15° ±30° ±40° 4.7样品摆动速度:6°/s, 60°/s 5平面研磨系统 5.1平面加工速度:平面加工2um/h(照射角度0°,偏心量4mm,平面) 20μm/h(照射角度60°,偏心量0mm,点) 5.2偏心量设计:0-5mm 5.3最大样品尺寸: 50φ×25(H)mm 5.4样品加工区域:φ5 mm 5.5样品摆动角度:±60° ±90° 5.6样品台旋转速度:1r/min,25r/min 5.7倾斜角度:0-90° 6冷却系统: 液氮罐容量800CC,最低显示温度-150℃,冷却时间4h
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