氧化物分子束外延系统购自于国内著名科研设备仪器公司,可用于各类薄膜样品尤其是氧化物薄膜的制备。其中样品通过加热台上的灯丝采用热辐射加热,加热台上配备有热偶用于监控温度;原材料则安装在热蒸发源/电子束蒸发源的坩埚中,通过灯丝/电子束轰击加热蒸镀到样品表面,蒸发量由晶振片进行标定。该设备具有生长的样品质量高、可以原子尺度精确控制薄膜的生长过程、样品制备结束后可直接传输到其他设备进行表征等特点。
1、烘烤后本底真空度优于3*10-10mbar;
2、多维度manipulator,温度最高可升至1000℃;
3、多Kcell和ebeam蒸发手段;
4、配备臭氧发生装置;
5、配备高精度掩膜版;
6、配有rheed和晶振等监测系统,实时反馈样品生长信息;
7、配有全自动程控系统,用于manipulator操纵、升降温和掩膜版及shutter机械移动等;
1.该系统具备生长薄膜材料尤其氧化物薄膜材料的必备条件,可以制备高质量的外延薄膜。
2.该系统接入西湖大学超高真空互联系统,生长后的样品可在超高真空保护下传入其他设备实现样品原位性质和结构表征。
表面科学,材料合成,凝聚态物理,半导体物理,晶体生长