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半导体参数分析系列——如何实现fA级超低电流测试

时间:2023-12-15 作者:杨祯 点击:

相关设备:

高低温探针电学/光电测量系统(I-V/C-V/脉冲电学测试)https://iscps.westlake.edu.cn/info/1024/1993.htm

低温探针电学测量系统(半导体参数分析/介电/铁电/光电等)https://iscps.westlake.edu.cn/info/1024/1207.htm

仪器放置地点:云谷校区学术环E10-138电学实验室

近年来信息数据呈爆炸式增长,这对用于信息存储、运算、传输的半导体器件提出了更高的要求,半导体技术也是我国卡脖子技术之一,科学家正在不断地挖掘新材料、构建新器件,以期达到器件小型化、低功耗、高速度的目标。器件研发过程中,其电学性能表征是重要的一环,因此西湖大学物质科学平台(ISCPS)构建了电学测试实验室,利用多种探针台和测试仪表可实现不同温度下半导体参数、介电、铁电、光电等测试分析。加快各类材料、半导体器件和先进工艺的开发,完成制程控制、可靠性分析和故障分析。

半导体分析中最基础的就是伏安特性(I-V)的表征,如何实现fA级(10-15A)超低电流测试是一个系统化的工作,我们做了以下总结,希望对您的测量和分析有帮助。


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